装置

FZ(浮遊帯域)半導体精製装置

シリコンロッドを浮遊帯域精製、単結晶化及び無転位単結晶化する装置です

kumitate1-02

浮遊帯域半導体精製装置はArガス雰囲気中でシリコンロッドを高周波で加熱し、偏析法により浮遊帯域精製、又は単結晶化、又は無転位単結晶化を行う装置です。

<装置構成>

  • 高周波誘導加熱電源(30kw 3MHz) <加熱コイル付属 >
  • 浮遊帯域精製炉 (真空引き、Arフロー)
  • 操作盤
  • 総合制御盤
  • 除震台

<装置仕様>

○試料ワークサイズ

・ シリコン多結晶試料  : φ7~20 × 50 ~ 300mm

・ DF試料         : φ19×100 ~ 150mmの試料をφ12 × 100 ~ 300mm に引き伸ばします。

(引き下ろし寸法は 約120mm)

・ 通常試料        : φ20 (MAX) × 300mm

○ 結晶育成時 雰囲気

・ Ar缶詰

・ Arフロー

・ 真空中

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