シリコンロッドを浮遊帯域精製、単結晶化及び無転位単結晶化する装置です
浮遊帯域半導体精製装置はArガス雰囲気中でシリコンロッドを高周波で加熱し、偏析法により浮遊帯域精製、又は単結晶化、又は無転位単結晶化を行う装置です。
<装置構成>
- 高周波誘導加熱電源(30kw 3MHz) <加熱コイル付属 >
- 浮遊帯域精製炉 (真空引き、Arフロー)
- 操作盤
- 総合制御盤
- 除震台
<装置仕様>
○試料ワークサイズ
・ シリコン多結晶試料 : φ7~20 × 50 ~ 300mm
・ DF試料 : φ19×100 ~ 150mmの試料をφ12 × 100 ~ 300mm に引き伸ばします。
(引き下ろし寸法は 約120mm)
・ 通常試料 : φ20 (MAX) × 300mm
○ 結晶育成時 雰囲気
・ Ar缶詰
・ Arフロー
・ 真空中
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